[发明专利]集成电路结构及存储器阵列有效

专利信息
申请号: 200910180287.X 申请日: 2009-10-13
公开(公告)号: CN101996998A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 任兴华;林瑄智 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;H01L23/528
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种集成电路结构及存储器阵列,该集成电路结构包含以阵列方式设置于一基板上的多个第一掺杂区、设置于该基板中的多个埋入式位元线、设置于该基板的一上表面的多个表面式位元线。该阵列具有奇数列及偶数列,各偶数列紧邻于一相对应的奇数列,各埋入式位元线电性连接该阵列的同一奇数列的所述多个第一掺杂区,各表面式位元线电性连接该阵列的同一偶数列的所述多个第一掺杂区。本发明采用该埋入式位元线及该表面式位元线设置在该存储器阵列的不同层的设计,也即该埋入式位元线及该表面式位元线可以不同的光刻工艺予以制备,因此线与线之间的间距可大幅增加。
搜索关键词: 集成电路 结构 存储器 阵列
【主权项】:
一种集成电路结构,包含:多个第一掺杂区,以阵列方式设置于一基板上,该阵列具有奇数列及偶数列,且各偶数列紧邻于一相对应的奇数列;多个埋入式位元线呈线性延伸,设置于该基板中,其特征在于各埋入式位元线电性连接该阵列的同一奇数列的所述多个第一掺杂区;以及多个表面式位元线呈线性延伸,设置于该基板的一上表面,其特征在于各表面式位元线电性连接该阵列的同一偶数列的所述多个第一掺杂区。
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