[发明专利]一种氮化镓晶体抛光的方法有效
| 申请号： | 200910180529.5 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101673668A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李强;徐永宽;程红娟;殷海丰;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302;B24B37/04;B24B29/02 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓晶体抛光的方法，所述方法包括以下步骤：将氮化镓晶片粘贴在石英板上；用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；对抛光液进行加热升温，用紫外光照射抛光的氮化镓晶片，用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化学机械抛光。本发明在传统的氮化镓晶片化学机械抛光的基础上，使用了紫外光对其晶片进行照射，同时使用了自制水浴加热系统对抛光液进行升温，提高了化学机械抛光过程中的化学反应速率，再通过重物重量的调节，使得物理去除作用和化学作用达到平衡，不仅解决了氮化镓晶体难抛光的问题，提高了N面和Ga面去除速率，也获得了令人满意的光亮表面。本发明方法成本明显更低，工艺实施简单，并且有效的提高了抛光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶体 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将氮化镓晶片粘贴在石英板上；用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；对抛光液进行加热升温，用紫外光照射抛光的氮化镓晶片，用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化学机械抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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