[发明专利]固态摄像元件、固态摄像装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910180640.4 申请日: 2009-10-26
公开(公告)号: CN101728410A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 舛冈富士雄;中村广记 申请(专利权)人: 日本优尼山帝斯电子股份有限公司
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148;H01L21/82;H04N5/335
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种减小读取通道面积且受光部表面积相对于一像素面积比例较大的CCD固态摄像元件。具有:第1导电型平面状半导体层,形成于第2导电型平面状半导体层上;孔,形成于第1导电型平面状半导体层;第1导电型高浓度杂质区域,形成于孔底部;元件隔离区域,其由形成于孔一部分侧壁且与第1导电型高浓度杂质区域连接;第2导电型光电转换区域,形成于孔底部的第1导电型高浓度杂质区域下部以及孔另一部分侧壁,通过受光使电荷量变化;传输电极,隔栅极绝缘膜形成于孔侧壁;第2导电型CCD通道区域,形成于第1导电型平面状半导体层表面、以及孔另一部分侧壁上部;读取通道,形成于由第2导电型光电转换区域和第2导电型CCD通道区域所夹区域。
搜索关键词: 固态 摄像 元件 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种固态摄像元件,其特征在于,具有:第2导电型平面状半导体层;第1导电型平面状半导体层,其形成于上述第2导电型平面状半导体层上;孔,其形成于上述第1导电型平面状半导体层;第1导电型高浓度杂质区域,其形成于在上述第1导电型平面状半导体层所形成的孔的底部;元件隔离区域,其由形成于在上述第1导电型平面状半导体层所形成的孔的侧壁的其中一部分上,且与上述第1导电型高浓度杂质区域相连接的第1导电型高浓度杂质所构成;第2导电型光电转换区域,其形成于在上述第1导电型平面状半导体层所形成的孔的底部所形成的上述第1导电型高浓度杂质区域的下部、以及形成于在上述第1导电型平面状半导体层所形成的孔的另一部分侧壁的的底部,且通过受光而使自身电荷量产生变化;传输电极,其利用栅极绝缘膜而形成于在上述第1导电型平面状半导体层所形成的孔的侧壁上;第2导电型CCD通道区域,其形成于上述第1导电型平面状半导体层表面、以及在上述第1导电型平面状半导体层所形成的孔的另一部分侧壁的上部;以及读取通道,其形成于由上述第2导电型光电转换区域和上述第2导电型CCD通道区域所夹的区域。
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