[发明专利]一种氮化铝/碳化硅/钛酸铝多孔陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200910180843.3 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101671195A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 吴师岗;石汝军;张士超;韩娜;赵德华 | 申请（专利权）人： | 淄博高新区联创科技服务中心 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/565;C04B35/582;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086山东省淄博市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化铝/碳化硅/钛酸铝多孔陶瓷及其制备方法。采用氮化铝、碳化硅和钛酸铝为主要原料，其配方的重量百分比为氮化铝40-60％，碳化硅20-40％，碳酸钙粉5％，钛酸铝10％，石蜡5％，制得孔隙率为60-80％的陶瓷。这种陶瓷具有良好的机械性能和热学性能，同时产生大量的均匀分布的气孔，降低了材料的热导率，提高了材料的隔热型，而且提高了材料的抗热震性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 碳化硅 钛酸铝 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝/碳化硅/钛酸铝多孔陶瓷，其特征在于采用氮化铝、碳化硅和钛酸铝为主要原料，其配方的重量百分比为氮化铝40-60％，碳化硅20-40％，碳酸钙粉5％，钛酸铝10％，石蜡5％；制得的陶瓷孔隙率为60％-80％。
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