[发明专利]多芯片模块无效
申请号: | 200910180886.1 | 申请日: | 2009-10-20 |
公开(公告)号: | CN101727980A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 陈友麒 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/06 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种多芯片模块,包含主裸芯片及串行闪存裸芯片。主裸芯片包含内建自测试控制器及串行闪存控制器。内建自测试控制器产生写命令以将第一数据写入串行闪存裸芯片的存储器位置,产生读命令以从串行闪存裸芯片的存储器位置读出第二数据,以及比较第二数据与第一数据,以判断存储器位置是否有缺陷,以产生所述串行闪存裸芯片的失效地址信息。串行闪存控制器耦接至内建自测试控制器,根据写命令及读命令访问串行闪存裸芯片。本发明提供的多芯片模块,可通过判断多芯片模块的故障源,来促进多芯片模块的制造及质量控制。 | ||
搜索关键词: | 芯片 模块 | ||
【主权项】:
一种多芯片模块,包含:串行闪存裸芯片;以及主裸芯片,耦接至所述串行闪存裸芯片,包含:内建自测试控制器,产生写命令以将第一数据写入所述串行闪存裸芯片的存储器位置,产生读命令以从所述串行闪存裸芯片的所述存储器位置读出第二数据,以及比较所述第二数据与所述第一数据,以判断所述存储器位置是否有缺陷,以产生所述串行闪存裸芯片的失效地址信息;以及串行闪存控制器,耦接至所述内建自测试控制器,根据所述写命令及所述读命令访问所述串行闪存裸芯片。
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