[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 200910181236.9 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101604725A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张银桥;蔡建九;张双翔;王向武 | 申请（专利权）人： | 扬州汉光光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江 平 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，涉及发光二极管的外延结构技术领域。在N-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为n-GaAs缓冲层、隧穿结、p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和GaAs欧姆接触层。本发明可增加有效出光面积，极大地提高亮度。利用隧穿结将n-GaAs衬底与其他有效外延层连接起来。对比目前比较成熟的倒装粗化LED，除去了衬底剥离、bonding等复杂的芯片工艺步骤，简化芯片流程，提高生产效率，降低生产成本，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管，其特征在于在N-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为n-GaAs缓冲层、隧穿结、p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和GaAs欧姆接触层；所述p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层中，x为0.6～1，y为0.4～0.6；所述Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区中，x为0～0.5，y为0.4～0.6；所述n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层中，x为0.6～1，y为0.4～0.6。
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