[发明专利]一种采用P型衬底的发光二极管有效
| 申请号： | 200910181237.3 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101604726A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张银桥;蔡建九;张双翔;王向武 | 申请（专利权）人： | 扬州汉光光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江 平 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种采用P型衬底的发光二极管，涉及发光二极管的外延结构及生产技术领域。在P-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和n-GaAs欧姆接触层。本发明在常规LED结构上添加一层粗化层，粗化层可以增加LED器件的有效出光面积，并且可以使原先发生全反射而无法射出的光，在下次以不同角度射向界面，将这些光从外延层中重新提取出来，极大地提高了AlGaInP发光二极管的外量子效率，以提高亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 衬底 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种采用P型衬底的发光二极管，其特征在于在P-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和n-GaAs欧姆接触层；所述p-(AlxGa1-x)yIn1-yP中，x为0.6～1，y为0.4-0.6；所述Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP中x为0～0.5，y为0.4～0.6；所述n-(AlxGa1-x)yIn1-yP中，x取值为0.6～1，y取值为0.4～0.6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州汉光光电有限公司，未经扬州汉光光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910181237.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
