[发明专利]二维氰基桥联配位聚合物及其制备方法无效
| 申请号： | 200910181882.5 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101624405A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 袁爱华;陆润芹;陈莺莺;单于彬 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | C07F15/04 | 分类号： | C07F15/04;C07F19/00;C07F3/06;C07F3/08;C07F15/02;C07F15/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维氰基桥联配位聚合物及其制备方法，其通式为：M(DMF)2[M’(CN)4](M＝Fe，Zn，Cd；M’＝Ni，Pt，Pd)。室温下，K2[M’(CN)4]和金属盐M2+按摩尔比为1∶1的比例，将K2[M’(CN)4]和M2+分别置于大小瓶中，将小瓶放进大瓶中，向小瓶中加入混合溶剂DMF/去离子水＝1∶1，再向大瓶中加入同样的混合溶剂，直至液面高过小瓶1厘米，两周后制得形状规则的晶体。本发明合成出的Hofmann类氰基桥联配位聚合物在磁性材料和催化等领域具有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 氰基桥联 配位聚合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维氰基桥联配位聚合物，其特征在于，通式为：M(DMF)2[M’(CN)4]，其中，M＝Fe，Zn，Cd；M’＝Ni，Pt，Pd，二级结构单元为：晶体属单斜晶系，空间群为C2/m，中心M和M’原子分别处于六配位的八面体和四配位的平面四方配位环境之中，M和M’原子通过氰基相连形成二维波浪型层状结构。
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