[发明专利]单晶硅太阳电池绒面上pn结杂质浓度分布的测量方法

摘要

本发明公布了一种单晶硅太阳电池金字塔绒面上pn结杂质浓度分布的测量方法。本发明的测量方法采用了电化学方法结合称重法对单晶硅太阳电池绒面上pn结的杂质浓度分布进行测量和计算。室温下通过电化学方法生长氧化层、HF酸腐蚀的重复过程，结合每次薄层电阻变化，以及差重计算每次氧化腐蚀深度，经过系列计算将每次薄层电阻换算成杂质浓度，从而获得扩散层纵向杂质分布的真实情况，得到杂质浓度分布曲线。本发明的测量是评价扩散层质量和选择控制扩散条件必不可少的依据，对于优化和控制扩散工艺，提高太阳电池效率具有重大意义。

主权项

一种单晶硅太阳电池绒面上pn结杂质浓度分布的测量方法，其特征是：包括下列步骤：(1)把具有金字塔绒面的扩散后单晶硅片作为测量对象：将单晶原硅片用碱腐蚀液制绒得到金字塔绒面，将制绒后的硅片酸洗后扩散，并用HF酸清洗掉磷硅玻璃，测量此时硅片的薄层电阻并称重；(2)室温下在硅片上电化学生长氧化层，用HF酸腐蚀掉氧化层，并在清洁干燥表面上用四探针法测量薄层电阻；重复多次上述氧化、腐蚀、称重和薄层电阻测量，观察每次表面层上薄层电阻变化，若发现逐渐变大的电阻突然变小，则pn结就在此表面的位置上；(3)通过硅片腐蚀前后重量差得到每次氧化腐蚀深度，通过每次测得的薄层电阻换算得到相应杂质浓度，从而获得扩散层纵向杂质分布的真实情况，并制得反映杂质浓度分布情况的杂质浓度分布曲线。