[发明专利]一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储单元电路

摘要

一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储单元电路，设有两个PMOS管P1、P2及五个NMOS管N1～N5，两个PMOS管及NMOS管N3、N4、N5的各体端均与本晶体管的栅端连接；NMOS管N1、N2的体端接地；NMOS管N1与PMOS管P1和NMOS管N2与PMOS管P2分别组成两个反相器，两个反相器之间通过关断NMOS管N5将两个反相器连接成交叉耦合，N1、P1反相器的输出端直接连接到N2、P2反相器的输入端，N2、P2反相器的输出端经由关断NMOS管N5连接到N1与P1反相器的输入端；NMOS管N3连接N1、P1反相器的与写位线，NMOS管N4连接N2、P2反相器的与写位线的非和读字线。

主权项

1、一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储单元电路，其特征在于：设有包括两个PMOS管P1及P2，五个NMOS管N1、N2、N3、N4及N5，共七个晶体管构成双端写，单端读的高密度，高鲁棒性亚阈值存储单元电路；其中，两个PMOS管及NMOS管N3、N4、N5的各体端均与本晶体管的栅端连接，NMOS管N1、N2的体端及源端接地，两个PMOS管的源端连接到电源电压，NMOS管N1的漏端和栅端分别与PMOS管P1的漏端和栅端连接在一起，组成一个反相器；NMOS管N2的漏端和栅端分别与PMOS管P2的漏端和栅端连接在一起，组成另一个反相器；NMOS管N1漏端及PMOS管P1漏端与NMOS管N2栅端及PMOS管P2栅端连接在一起，NMOS管N1栅端和PMOS管P1栅端之间的连接端与NMOS管N2漏端和PMOS管P2漏端之间的连接端分别连接在NMOS管N5源、漏两端之任一端，NMOS管N5的栅端与外部控制信号读字线的取反信号连接，NMOS管N1漏端和PMOS管P1漏端之间的连接端与写位线分别连接在NMOS管N3源、漏两端之任一端，NMOS管N3的栅端连写字线，NMOS管N2漏端和PMOS管P2漏端之间的连接端与写位线的非和读位线的共享位线分别连接在NMOS管N4源、漏两端之任一端，NMOS管N4栅端连接到写字线和读字线共享的字线上。