[发明专利]基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池

摘要

本发明公开了一种基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型黄铜矿半导体薄膜、N型晶体硅、N⁺背表面场和背金属电极，形成PNN⁺的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应，尤其是在紫外和可见光波段，从而可以提升短路电流；且在正面可形成梯度带隙，类似于多结的堆叠效应，大幅度地提升开路电压和填充因子；最终得到的太阳电池的转化效率在22％以上。

主权项

1.一种基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池，其特征在于：包括依次叠层结合的受光面电极(1)、透明导电层(6)、P型黄铜矿半导体薄膜(7)、N型晶体硅(8)、N+背表面场(9)和背金属电极(10)，形成PNN+的异质结结构。