[发明专利]一种磁光电流传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200910183929.1 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101672870A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 焦新兵;蒋春萍 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R15/24 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁光电流传感器及其制造方法，包括沿光路设置的光源、起偏器、磁光传感单元、检偏器及方位探测器，其中该磁光传感单元为保护层、永磁薄膜和磁光材料层叠生长结构；制造时，首先制备清洁、干燥的磁光材料，然后在真空条件下对磁光材料生长永磁薄膜，再在永磁薄膜上生长SiN或SiO2薄膜保护层，最后利用永磁机对磁光传感单元的永磁薄膜进行充磁。本发明利用永磁薄膜，使得光路通过的磁场强度大、平行度好，有效增大了偏振光的旋转角，提高了传感器的感应精度。此外，该磁光电流传感器的光路元件少，系统设计更简便，可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁光电流传感器，其特征在于：包括沿光路设置的光源、起偏器、磁光传感单元、检偏器及方位探测器，其中所述磁光传感单元为保护层、永磁薄膜和磁光材料层叠生长结构，且所述保护层朝向光源一侧，磁光材料朝向检偏器和方位探测器一侧。
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