[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号： | 200910184733.4 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101635318A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 姚华文;张宏勇 | 申请（专利权）人： | 江苏华创光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214213江苏省宜兴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池，包括N型单晶硅材料为基底，在基底一侧依次生长本征非晶硅薄膜、P型a-Si:H薄膜以及第一ITO薄膜，在第一ITO薄膜上设置有第一集电极，在基底另一侧依次生长i型GeSi薄膜、N型a-Si:H薄膜以及第二ITO薄膜，在第二ITO薄膜上设置有第二集电极。本发明的优点在于，通过对下层i型GeSi薄膜、N型a-Si:H薄膜合金进行改动，一方面可以保证原来HIT太阳能电池的上层吸收和转换效率，另一方面增加了对背部光线和透过光线的吸收，使得背部转换效率可以比原来的水平提高。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能电池，其特征在于，包括N型单晶硅材料为基底(35)，在基底(35)一侧依次生长本征非晶硅薄膜(34)、P型氢化非晶硅薄膜(33)以及第一ITO薄膜(32)，在第一ITO薄膜(33)上设置有第一集电极(31)，在基底(35)另一侧依次生长i型GeSi薄膜(36)、N型a-Si:H薄膜(37)以及第二ITO薄膜(38)，在第二ITO薄膜(38)上设置有第二集电极(39)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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