[发明专利]硅衬底GaN基半导体材料的制造方法在审
| 申请号： | 200910186565.2 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101719465A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 江风益;方文卿;郑畅达;莫春兰;王立 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，该方法用于解决在外延GaN基半导体材料的过程中，Ga对硅表面回熔的问题，以提高产品的品质和提高生产效率。该方法包括：在专门用于生长氮化铝缓冲层的第一个MOCVD的反应室内，在硅衬底上生成氮化铝缓冲层，完成后取出，形成硅衬底氮化铝模板备用；将上述备用的硅衬底氮化铝模板放入专门用于生长GaN基半导体材料的第二个MOCVD的反应室内外延GaN基半导体材料，完成后取出，形成硅衬底GaN基半导体材料。本发明方法可用于发光二极管、二极管激光器和功率器件等的生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 gan 半导体材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，包括：在专门用于生长氮化铝缓冲层的第一个MOCVD的反应室内，在硅衬底上生成氮化铝缓冲层，完成后取出，形成硅衬底氮化铝模板备用；将上述备用的硅衬底氮化铝模板放入专门用于生长GaN基半导体材料的第二个MOCVD的反应室内外延GaN基半导体材料，完成后取出，形成硅衬底GaN基半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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