[发明专利]细化二次晶粒尺寸的高磁感取向硅钢的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910187784.2 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN102031342A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 蒋奇武;金文旭;张静;付勇军;游清雷;张海利;庞树芳;王晓达 申请(专利权)人: 鞍钢股份有限公司
主分类号: C21D1/09 分类号: C21D1/09;C21D8/12;C21D1/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 114021 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种细化二次晶粒尺寸的高磁感取向硅钢的制备方法,包括冶炼、连铸、热轧、常化、冷轧、脱碳退火、涂覆隔离层、高温退火、涂覆绝缘涂层和热拉伸平整退火工艺,其特点是在脱碳退火前对冷轧板进行激光照射处理,使钢板表面形成相互平行且等距的线状应变区。所述应变区的宽度为100~200μm,应变区的间距为10~20mm,应变区的深度20~100μm,应变区与钢板轧向的夹角为60~120°。本发明工艺简单易行,适用范围广,既不破坏表面氧化膜,又无需改造现有设备。采用本发明最终成品B8可增高0.01~0.05T;最终成品P17可降低0.02~0.10W/kg。
搜索关键词: 细化 二次 晶粒 尺寸 高磁感 取向 硅钢 制备 方法
【主权项】:
一种细化二次晶粒尺寸的高磁感取向硅钢的制备方法,包括冶炼、连铸、热轧、常化、冷轧、脱碳退火、涂覆隔离层、高温退火和涂覆绝缘涂层等工艺,其特征在于在脱碳退火前对冷轧板进行激光照射处理,使钢板表面形成相互平行且等距的线状应变区。
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