[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 200910188007.X | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102044598A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;郭文平;杨天鹏;陈向东;肖志国 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延片及其生长方法，该LED外延片含有两层p型GaN层，其生长方法为在生长p型GaN层的时候，首先在较低温度和压力下生长第一p型GaN层，再在温度相对较高时生长第二p型GaN层。由于第一p型GaN层生长温度低，在量子阱后形成不规则结构使得静电易分散，从而提高GaN基LED芯片抗ESD能力。本发明优点在于：提高了GaN基LED芯片抗ESD能力，300×300μm2芯片尺寸的2000V ESD通过率可达到98％，4000V ESD通过率可达到95％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延片，其结构从下至上依次包括：衬底，低温缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，多量子阱层，p型GaN层和电极接触层，其特征在于所述的p型GaN层包括第一p型GaN层和第二p型GaN层，所述的第一p型氮化镓层的厚度为30～60nm，所述的第二p型氮化镓层的厚度为150～300nm。
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