[发明专利]一种LED外延片及其外延生长方法

摘要

一种LED外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓、n型氮化镓、多量子阱、p型氮化镓、p型铝镓氮、粗化的p型氮化镓和扩展电流层。其中扩展电流层可以嵌入p型氮化镓层、或者嵌入p型铝镓氮层，或者嵌入粗化的p型氮化镓层。其制造方法是在p型氮化镓层、p型铝镓氮层或者粗化的p型氮化镓层中嵌入生长扩展电流层，由于扩展电流层的禁带宽度较小，降低Mg的激活能，空穴进入发光区的数目增加，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，从而提高了LED的发光强度。

主权项

一种LED外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、p型铝镓氮层、粗化的p型氮化镓层和高掺杂的p型GaN基电极接触层，其特征在于所述LED外延片还包含扩展电流层，所述扩展电流层嵌入在p型氮化镓层、p型铝镓氮层或者粗化的p型氮化镓层中；其中所述扩展电流层为1～10个循环周期的p型InGaN/p型GaN，或者为1～10个循环周期的p型AlInGaN/p型GaN；所述扩展电流层总生长厚度为5～100nm，所述扩展电流层中的p型InGaN或者p型AlInGaN的厚度为2.5～50nm。