[发明专利]半导体纳米结构有效
申请号: | 200910188569.4 | 申请日: | 2009-11-27 |
公开(公告)号: | CN102082167A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 吴健;刘峥;段文晖;顾秉林 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L29/04 | 分类号: | H01L29/04;H01L29/78 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种半导体纳米结构,其包括:一基底及至少一个脊部,该基底包括一第一晶面及垂直于该第一晶面的第二晶面,所述至少一个脊部从所述基底中的第一晶面开始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出。 | ||
搜索关键词: | 半导体 纳米 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体纳米结构,其特征在于,其包括:一基底及至少一个脊部,该基底包括一第一晶面及垂直于该第一晶面的第二晶面,所述至少一个脊部从所述基底中的第一晶面开始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出。
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