[发明专利]双极晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200910189541.2 | 申请日： | 2009-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102074474A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 胡金节;肖中强;陈正培;李月影;赵英翰;吴孝嘉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双极晶体管的制造方法，包括：形成CMOS栅极，在所述栅极上低压沉积正硅酸乙酯层，进行侧墙软腐蚀工艺，对所述正硅酸乙酯层进行蚀刻并修复蚀刻造成的硅片表面缺陷，形成CMOS源漏极。本发明对形成侧墙的膜层进行蚀刻并修复蚀刻造成的硅片表面缺陷，增大了电流工作区间，从而很大程度的改善了垂直NPN双极晶体管的电流增益。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管的制造方法，包括：形成CMOS栅极；在所述栅极上低压沉积正硅酸乙酯层；进行侧墙软腐蚀工艺，对所述正硅酸乙酯层进行蚀刻并修复蚀刻造成的硅片表面缺陷；形成CMOS源漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
