[发明专利]一种基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置无效

专利信息
申请号: 200910191051.6 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN101693874A 公开(公告)日: 2010-04-14
发明(设计)人: 胡宁;杨军;郑小林;胡南;夏斌;蒋凤;赵丽苹;刘琳琳;田浩;张小玲 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C12M1/42 分类号: C12M1/42;C12N15/02
代理公司: 重庆华科专利事务所 50123 代理人: 康海燕
地址: 400033 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明提出了一种基于微小室结构的细胞电融合微电极阵列芯片装置,它由微小室阵列芯片,外围印制电路板和流路控制模块组成。微小室阵列芯片是由石英基底层、金属微电极阵列、多聚物侧壁和多聚物围水栏构成,相对的两金属微电极和相对的两多聚物侧壁构成一个微小室,微小室呈阵列排布;微小室阵列芯片键合于外围印制电路板上,形成电气连接;流路控制模块覆盖在所述微小室阵列芯片之上。本发明通过外界电信号在微小室中形成一定的电场,控制微小室内部的细胞的高效排队与电融合,从而实现每个微小室中仅有一对细胞进行融合,提高细胞融合的通量和安全性。
搜索关键词: 一种 基于 微小 阵列 结构 细胞 融合 芯片 装置
【主权项】:
一种基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置,其特征在于:它由微小室阵列芯片,外围印制电路板和流路控制模块组成;所述微小室阵列芯片是以石英为基底层,在石英基底层之上采用微加工技术形成有金属微电极阵列、多聚物侧壁和多聚物围水栏,金属微电极阵列集成了大量的金属微电极,金属微电极与多聚物侧壁等高,相对的两金属微电极和相对的两多聚物侧壁构成一个微小室,微小室也呈阵列排布;多聚物围水栏围绕在整个阵列化微小室之外,金属微电极阵列有两个端头伸出于多聚物围水栏外,用于和外围印制电路板键合;所述微小室阵列芯片键合于外围印制电路板上,与印制电路板形成电气连接;所述流路控制模块覆盖在所述微小室阵列芯片之上,其由PDMS流路控制盖片和导管构成,在PDMS流路控制盖片的面向微小室阵列芯片一面上形成有与所述阵列化微小室区域面积相当的储样池,储样池两侧有微通道和进样口、出样口,所述储样池的底平面与阵列化微小室的顶平面之间留有容细胞流动通过的间隙。
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