[发明专利]一种射频功率放大器高低功率合成电路有效
| 申请号： | 200910192107.X | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101656515A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 彭凤雄 | 申请（专利权）人： | 惠州市正源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516006广东省惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及射频功率放大器领域，具体是指一种具有高、低功率输出通道、效率高且电路相对简洁的射频功率放大器应用电路。所述电路包括控制电路和受控于控制电路的功率放大器PA1和PA2，所述功率放大器PA1和PA2输入端均与一采用共射共基结构连接且同样受控于控制电路的三极管放大电路连接。上述电路中的三极管可以采用MOSFET或HEMT等工艺制作的晶体管代替。本发明所述电路采用共射共基结构放大器作为整个放大电路的驱动级，在对输入射频信号进行放大的同时起到输入射频开关的作用，从而省略了输入射频开关，降低了电路设计的复杂程度和生产成本；且共射共基结构的共射级晶体管在高、低功率模式下共用，能够简化输入匹配网络设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 高低 功率 合成 电路 | ||
【主权项】：
1、射频功率放大器高低功率合成电路，包括控制电路和受控于控制电路的功率放大器PA1和PA2，其特征在于：所述功率放大器PA1和PA2输入端均与一采用共射共基结构连接且同样受控于控制电路的三极管放大电路连接。
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