[发明专利]一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板及其制备方法无效
申请号: | 200910194043.7 | 申请日: | 2009-11-20 |
公开(公告)号: | CN101728476A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 崔国峰;丁坤 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板及其制备方法,包括:对有氮化镓膜层的衬底进行导电化处理;在有氮化镓膜层的衬底表面镀上金属甲;在金属甲镀层表面镀上金属乙;交替镀金属甲和乙若干次,形成多金属层结构;在其表面通过电镀铜加厚;在铜表面,镀上金属丙;最后得到用于LED的氮化镓外延层转移的高导热金属基板。本发明采用的原料均不含重金属,对环境友好,而且原料简单易得,生产工艺易于操作;采用本发明所述的方法转移后的制得的为金属基板LED发光器件,适用于大功率LED领域。制成的LED发光效率高,能耗低,使用寿命长,且生产成本较低,符合大规模工业应用的条件,产品质量标准符合欧盟标准和美国标准。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 led 氮化 外延 转移 导热 金属 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板,包括氮化镓膜层,其特征在于还包括经导电化处理的氮化镓膜层衬底,衬底上镀有多层金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910194043.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。