[发明专利]一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910194043.7 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN101728476A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 崔国峰;丁坤 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈卫
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板及其制备方法,包括:对有氮化镓膜层的衬底进行导电化处理;在有氮化镓膜层的衬底表面镀上金属甲;在金属甲镀层表面镀上金属乙;交替镀金属甲和乙若干次,形成多金属层结构;在其表面通过电镀铜加厚;在铜表面,镀上金属丙;最后得到用于LED的氮化镓外延层转移的高导热金属基板。本发明采用的原料均不含重金属,对环境友好,而且原料简单易得,生产工艺易于操作;采用本发明所述的方法转移后的制得的为金属基板LED发光器件,适用于大功率LED领域。制成的LED发光效率高,能耗低,使用寿命长,且生产成本较低,符合大规模工业应用的条件,产品质量标准符合欧盟标准和美国标准。
搜索关键词: 一种 用于 led 氮化 外延 转移 导热 金属 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板,包括氮化镓膜层,其特征在于还包括经导电化处理的氮化镓膜层衬底,衬底上镀有多层金属层。
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