[发明专利]电阻随机存储器及其驱动方法有效
| 申请号： | 200910194782.6 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102005242A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 季明华;黄晓辉;宋立军;吴金刚;肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了电阻随机存储器及其驱动方法，其中所述的一种电阻随机存储器包括由存储单元所组成的存储阵列，所述存储单元包括一个存储电阻以及一个选通管；所述存储电阻的一端连接位线，另一端连接选通管；所述选通管为场效应晶体管，其中栅极连接字线；所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读、写操作电流。本发明利用场效应晶体管中的GIDL漏电流作为读、写操作电流；一方面，GIDL漏电流较现有的电阻随机存储器的晶体管开启时的导通电流较大，能够减小存储器上选通管的功耗，而增强存储电阻上的功耗以获得良好的加热或者相变效果，另一方面，还能够避开GIDL漏电流的负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机 存储器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻随机存储器，包括由存储单元所组成的存储阵列，其特征在于，所述存储单元包括一个存储电阻以及一个选通管；所述存储电阻的一端连接位线，另一端连接选通管；所述选通管为场效应晶体管，其中栅极连接字线；所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读、写操作电流。
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