[发明专利]红外焦平面封装窗口的金属化方法无效
申请号: | 200910194864.0 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN102002672A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 周东平;赵培 | 申请(专利权)人: | 上海欧菲尔光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/14;C23C14/16 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 杨元焱 |
地址: | 200434 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种红外焦平面封装窗口的金属化方法,该方法采用离子辅助蒸发技术实现红外封装窗口金属化区的金属化。即在蒸发设备中装入离子能量低、离子密度高的离子源实现离子辅助,在离子辅助氛围下顺序在封装窗口金属化区上蒸镀一层铆定层、一层阻隔层和一层焊接层。本发明的方法在离子辅助蒸发金属过程中,Ar离子能将自身的能量传递给蒸发金属原子,有效提高金属原子在基片表面的迁移能,并且提高了金属原子对基片的注入效应,能有效提高膜层致密度,减小膜层应力,增强金属膜层与基片的附着力,改善膜层性能。 | ||
搜索关键词: | 红外 平面 封装 窗口 金属化 方法 | ||
【主权项】:
一种红外焦平面封装窗口的金属化方法,在红外窗口基片上实施,其特征在于:将基片中间的红外薄膜区用掩膜覆盖,四周作为金属化区,置于蒸发设备中;在蒸发设备中装入离子能量低、离子密度高的离子源实现离子辅助,按以下步骤进行金属化:a、利用离子源清洁基片;b、在基片的金属化区上蒸镀一层Cr或Ti作为铆定层;c、在铆定层上蒸镀一层Ni、Pt或Pd作为阻隔层;d、在阻隔层上蒸镀一层Au作为焊接层。
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