[发明专利]化学机械抛光的研磨液供给系统及方法有效
| 申请号： | 200910194949.9 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102001044A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 胡宗福 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B57/02 | 分类号： | B24B57/02;B24B37/04;B24B29/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种研磨液供给系统，包括备用池(101)、供给池(102)、过滤装置(103)，所述研磨液供给系统进一步包括注入装置(201)、回流装置(202)和排出装置(203)，供给池(102)进一步包括入口F、出口G和出口H，备用池(101)包括入口I；所述注入装置(201)与入口F连接，用于向供给池(102)中注入清洗液；所述回流装置(202)分别与出口G与入口I连接，用于将供给池(102)中的研磨液输送到备用池(201)中；所述排出装置(203)与出口H连接，用于将供给池(102)中的液体排空。该研磨液供给系统可以很方便地实现对供给池以及相关导管内进行清洗，使氧化物粉粒聚合形成的颗粒被及时地清洗出去，而避免其进入CMP机台导致晶圆刮伤。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 研磨 供给 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种研磨液供给系统，包括备用池(101)、供给池(102)、过滤装置(103)，所述备用池(101)包括出口B，供给池(102)包括入口C和入口D，以及出口E；供给池(102)的入口C和备用池(101)的出口B连接，出口E与过滤装置(103)的入口连接，过滤装置(103)的出口和供给池(102)的入口D连接同一个T形管的两端，而所述T形管的第三端连接CMP机台(104)；所述连接均为通过中空导管连接；其特征在于，所述研磨液供给系统进一步包括注入装置(201)、回流装置(202)和排出装置(203)，供给池(102)进一步包括入口F、出口G和出口H，备用池(101)包括入口I；所述注入装置(201)与入口F连接，用于向供给池(102)中注入清洗液；所述回流装置(202)分别与出口G与入口I连接，用于将供给池(102)中的研磨液输送到备用池(201)中；所述排出装置(203)与出口H连接，用于将供给池(102)中的液体排空。
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