[发明专利]N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法无效
| 申请号： | 200910194957.3 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102005387A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 居建华;神兆旭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法，该方法包括：在硅片的栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏注入和口袋注入；所述口袋注入分两次进行，其中一次口袋注入的为轻原子量杂质，另一次口袋注入的为重原子量杂质；为栅极结构形成侧墙，并在所述侧墙两侧的半导体衬底上进行源漏注入。应用本发明所述方法，能够改善器件的阈值电压和饱和电流的不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 源漏区 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法，该方法包括：在硅片的栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏注入和口袋注入；所述口袋注入分两次进行，其中一次口袋注入注入的为轻原子量杂质，另一次口袋注入注入的为重原子量杂质；为栅极结构形成侧墙，并在所述侧墙两侧的半导体衬底上进行源漏注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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