[发明专利]监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法无效
| 申请号： | 200910195404.X | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102023488A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法。该方法首先得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度；然后在对曝光机的能量进行监测时，以低于曝光阈值的能量对晶圆上形成的光刻胶膜进行曝光，显影，然后测量显影后光刻胶膜的厚度；将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较；然后，根据比较结果判断当前曝光机的能量是否出现偏移。由于曝光并显影后光刻胶膜的厚度对所使用的曝光能量很敏感，因此该方法显著提高了对曝光机能量监测的灵敏度和准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 光刻 工艺 曝光 能量 偏移 方法 | ||
【主权项】：
一种监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法，得到曝光机能量正常的情况下曝光能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度；该方法包括：在晶圆上形成光刻胶膜；以低于曝光阈值的能量对所述光刻胶膜进行曝光，并显影；测量显影后光刻胶膜的厚度；将显影后光刻胶膜的厚度与曝光机能量正常的情况下该低于曝光阈值的能量所对应的曝光并显影后光刻胶膜的厚度进行比较；根据比较结果判断曝光机的能量是否出现偏移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910195404.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：呼叫服务的系统和方法、呼叫服务器、用户终端和存储媒介
- 下一篇：密封装置
