[发明专利]提高接触电阻均匀性的方法有效
| 申请号： | 200910195405.4 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102024745A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提高接触电阻均匀性的方法包括：在阻挡层反应腔内溅射形成叠层阻挡层，叠层阻挡层包括依次溅射的TaN层和Ta层，覆盖晶圆上连接孔底部和侧壁；在阻挡层反应腔内对连接孔的底部进行第一次re-sputter，去除连接孔底部叠层阻挡层厚度的1/3～2/3；将晶圆转移至Load Lock Chamber，相比于在阻挡层反应腔进行第一次re-sputter时的放置位置水平旋转180度；将晶圆从Load Lock Chamber转移至阻挡层反应腔进行第二次re-sputter，去除连接孔底部的叠层阻挡层，显露出下层的铜互连线或者半导体器件层；在叠层阻挡层表面溅射形成第二Ta层。该方法降低了Rc阻值，有效提高了Rc阻值均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 接触 电阻 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高接触电阻均匀性的方法，该方法包括：在阻挡层反应腔内溅射形成叠层阻挡层，所述叠层阻挡层包括依次溅射的氮化钽TaN层和钽Ta层，所述叠层阻挡层覆盖晶圆上连接孔底部和侧壁；在阻挡层反应腔内对连接孔的底部进行第一次物理轰击re‑sputter，去除连接孔底部叠层阻挡层厚度的1/3～2/3；将晶圆转移至传送室Load Lock Chamber，相比于在阻挡层反应腔进行第一次re‑sputter时的放置位置水平旋转180度；将晶圆从Load Lock Chamber转移至阻挡层反应腔进行第二次re‑sputter，去除连接孔底部的叠层阻挡层，显露出下层的铜互连线或者半导体器件层；在叠层阻挡层表面溅射形成第二Ta层，所述第二Ta层同时覆盖下层的铜互连线或者半导体器件层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
