[发明专利]一种通孔刻蚀方法无效
| 申请号： | 200910195420.9 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101667556A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 王玉磊;黄冲;徐昕睿;李洋;林俊毅;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种通孔刻蚀方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层；在所述介质层表面形成牺牲层；图案化所述牺牲层并在所述牺牲层中形成开口以界定通孔位置；以所述图案化的牺牲层为掩膜，执行第一各向异性干法刻蚀制程，刻蚀所述介质层至暴露出或接近所述衬底表面，在所述介质层中刻蚀通孔；执行一各向同性干法刻蚀制程，扩大所述牺牲层中开口的尺寸；以所述开口扩大后的牺牲层为掩膜，执行第二各向异性干法刻蚀制程，并过刻蚀形成酒杯状轮廓的通孔；去除所述牺牲层。本发明的优点在于所制备的通孔底部尺寸的控制会比较精确；只用干法刻蚀方法，只有一个程式，可以在一个机台里面一次性成型，生产效率得到很大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通孔刻蚀方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有介质层；在所述介质层形成牺牲层；图案化所述牺牲层并在所述牺牲层中形成开口以界定通孔位置；以所述图案化的牺牲层为掩膜，执行第一各向异性干法刻蚀制程，刻蚀所述介质层至暴露出所述衬底表面，在所述介质层中出刻蚀通孔；执行一各向同性干法刻蚀制程，扩大所述牺牲层中开口的尺寸；以所述开口扩大后的牺牲层为掩膜，执行第二各向异性干法刻蚀制程，并过刻蚀形成酒杯状轮廓的通孔；去除所述牺牲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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