[发明专利]一种俄歇电子能谱检测样品的制备方法无效
| 申请号： | 200910195573.3 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102023173A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张启华;赵燕丽;高强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/227 | 分类号： | G01N23/227 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种俄歇电子能谱检测样品的制备方法，包括以下步骤：提供一原始检测样品，所述原始检测样品包括半导体基底、位于所述半导体基底上的焊盘以及位于所述焊盘上的钝化层，所述钝化层具有暴露出部分所述焊盘的开口；将所述原始检测样品上需进行检测分析的区域接地。本发明提供的俄歇电子能谱检测样品的制备方法通过将样品被测区域接地，可有效消除进行俄歇电子能谱检测时样品表面的荷电效应，从而获得准确的俄歇电子能谱。该样品制备方法的操作简单易行，无须大成本的投入即可取得明显的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 检测 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种俄歇电子能谱检测样品的制备方法，包括以下步骤：提供一原始检测样品，所述原始检测样品包括半导体基底、位于所述半导体基底上的焊盘以及位于所述焊盘上的钝化层，所述钝化层具有暴露出部分所述焊盘的开口；将所述原始检测样品上需进行检测分析的区域接地。
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