[发明专利]开口及其形成方法有效
| 申请号： | 200910195636.5 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102024696A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;孙武;符雅丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种开口及其形成方法，其中，所述开口的形成方法包括：在形成开口的主刻蚀中动态调整三氟甲烷流量和偏置功率，调节刻蚀过程中产生聚合物的数量，所述三氟甲烷的流量逐渐增加，所述偏置功率逐渐降低。本发明通过对刻蚀菜单工艺参数的独立调整，在形成开口的主刻蚀中动态调整三氟甲烷流量和偏置功率，可以调节刻蚀过程中所产生聚合物的量，以此影响开口的形貌，防止现有技术的由于无法填充过厚或者形成的开口的底部扩大导致填充的金属层的方块电阻的增大的缺陷，经过本发明的工艺所形成的开口有利于提高金属层的填充质量。在此过程中，仅对刻蚀菜单中相关工艺参数作了局部调整，没有增加复杂的工艺流程，不会对产能和生产成本造成明显影响。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种开口的形成方法，其特征在于：在形成开口的主刻蚀中动态调整三氟甲烷流量和偏置功率，调节刻蚀过程中产生聚合物的数量，所述三氟甲烷的流量逐渐增加，所述偏置功率逐渐降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
