[发明专利]粘合层及其形成方法无效
| 申请号： | 200910195839.4 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024789A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;宋兴华;李志超;林艺辉;林保璋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种粘合层及其形成方法，通过在Ti膜上先形成富含N的第一TiN膜，再在所述第一TiN膜上形成富含Ti的第二TiN膜，有效地减少了在硅衬底与Ti膜的界面处形成的TiSi2层的厚度，从而降低了结漏电现象的发生率。 | ||
| 搜索关键词： | 粘合 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种粘合层，其特征在于，包括Ti膜，形成于所述Ti膜上的富含N的第一TiN膜，以及形成于所述第一TiN膜上的富含Ti的第二TiN膜。
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