[发明专利]一种静电放电保护电路无效
| 申请号： | 200910195958.X | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102025136A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 单毅;陈晓杰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护电路，本发明实施例提供的静电放电保护电路包括至少两个NMOS管；每个NMOS管的漏极连接焊盘Pad，每个NMOS管的源极经过电阻接地；每个NMOS管的衬底接地；后一个NMOS管的栅极连接前一个NMOS管的源极。当前一个NMOS管导通时，源极连接的电阻产生一个压降，为下一个NMOS管的栅极提供一个偏置电压，由于热载流子效应等的影响，当栅极上有一个偏压时，在相同漏极电压条件下能产生一个更大的流入p-well的电流，使得下一个NMOS管的寄生NPN导通，最终使所有NMOS管的寄生NPN均导通，释放ESD电流。该ESD保护电路具有良好的导通均匀性，不存在位于两边的NPN管不导通的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：至少两个NMOS管；具体为：每个NMOS管的漏极连接焊盘Pad，每个NMOS管的源极经过电阻接地；每个NMOS管的衬底接地；后一个NMOS管的栅极连接前一个NMOS管的源极。
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