[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200910196197.X | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102024720A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金泰圭;辛永基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括提供基底，所述基底表面形成有顶层金属层；在所述顶层金属层上形成保护层；对所述保护层进行退火工艺；在所述保护层上形成钝化层；对所述钝化层进行光刻和刻蚀，形成焊垫开口；在所述焊垫开口内和钝化层上形成阻挡层和金属铝层；对所述金属铝层进行光刻和刻蚀，形成焊垫。本发明消除或减少了保护层中残留的针孔，防止了在灰化去除光刻胶时氧气穿过针孔对顶层金属层造成氧化，避免了由此引起的电迁移问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有顶层金属层；在所述顶层金属层上形成保护层；对所述保护层进行退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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