[发明专利]以部分金属栅作为高介电常数栅介质刻蚀阻挡层的结构及集成方法无效
| 申请号： | 200910196302.X | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101673710A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆 飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种以部分金属栅作为高介电常数栅介质刻蚀阻挡层的结构及集成方法。包括：在刻蚀高K材料时由部分金属栅作为刻蚀高K材料的刻蚀阻挡层；在集成之后用简化的步骤使NMOS和PMOS的阈值电压符合要求。本发明的优点在于克服了PMOS栅的费米能级钉扎效应，而且可以解决传统工艺在去除光刻胶时对高K介质有损伤的问题，大大简化了高K金属栅的集成复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 部分 金属 作为 介电常数 介质 刻蚀 阻挡 结构 集成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种部分金属栅作为刻蚀高K材料的刻蚀阻挡层结构，其特征在于，该结构包括至少一层高K材料层，以及用来在刻蚀高K材料层时保护所覆盖的高K材料层的刻蚀阻挡层，这里K为介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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