[发明专利]一种低介电常数介质与铜互连的结构和集成方法无效
| 申请号： | 200910196303.4 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101673727A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆 飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路半导体芯片技术领域，具体为一种低介电常数介质与铜互连的结构和集成方法，本发明的互连结构包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有孔洞；在绝缘体支撑结构之间也有孔洞，以形成气隙结构。本发明采用铜互连与气隙结合起来降低电容；用特定支撑结构来支撑铜导线，以便在去除介质后维持铜导线的形状。本发明的优点在于可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 介质 互连 结构 集成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低介电常数介质与铜互连的结构，其特征在于，该结构包括至少一条金属导线，以及位于所属金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有孔洞，在绝缘体支撑结构之间也有孔洞，以形成气隙结构。
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