[发明专利]铝刻蚀方法有效
申请号: | 200910196425.3 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102031524A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 张海洋;符雅丽;孙武 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23F1/02 | 分类号: | C23F1/02;C23F1/12 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王一斌;王琦 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了铝刻蚀方法,包括:在铝层上形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光,显影并刻蚀所述光刻胶层,使其形成开口为T型的光刻胶图案;以所述开口为T型的光刻胶图案为掩膜,对铝进行刻蚀。本发明增大了显影后的光刻胶层的剖面面积,从而增加了铝刻蚀过程中生成的聚合物,降低了腐蚀生成物对铝的腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种铝刻蚀方法,该方法包括:在铝层上形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光、显影并刻蚀所述光刻胶层,使其形成开口为T型的光刻胶图案;以所述开口为T型的光刻胶图案为掩膜,对铝进行刻蚀。
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