[发明专利]具有轻掺杂漏结构的晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200910196485.5 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102034711A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张京晶;隋振超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/82;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/11;H01L27/112;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有轻掺杂漏结构的晶体管的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成栅极氧化层和栅极；以栅极作为掩模，进行离子注入形成轻掺杂漏区；在所述栅极氧化层和所述栅极的侧壁上以及衬底上形成间隙壁绝缘层；在所述间隙壁绝缘层上形成一间隙壁层；干法刻蚀所述间隙壁绝缘层和间隙壁层，以在栅极的侧壁形成间隙壁，所述干法刻蚀的刻蚀气体包含HBr和CF4；对晶圆表面进行清洗，去除蚀刻步骤中的残留物；以所述栅极和所述间隙壁作为掩模，进行离子注入形成源极和漏极。根据本发明，通过改变干法刻蚀的刻蚀气体组分，消除了由于等待时间过长而在氮化硅层表面生成阻碍离子注入的副产物的现象，从而提高了晶片的良品率和电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 结构 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有轻掺杂漏结构的晶体管的制造方法，所述方法包括下列步骤：在衬底上形成栅极氧化层和栅极；以所述栅极作为掩模，进行离子注入形成轻掺杂漏区；在所述栅极氧化层和所述栅极的侧壁上以及衬底上形成间隙壁绝缘层；在所述间隙壁绝缘层上形成一间隙壁层；干法刻蚀所述间隙壁绝缘层和间隙壁层，以在栅极的侧壁形成间隙壁，所述干法刻蚀的刻蚀气体包含HBr和CF4；对晶圆表面进行清洗，去除蚀刻步骤中的残留物；以所述栅极和所述间隙壁作为掩模，进行离子注入形成源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
