[发明专利]一种修复晶圆表面划伤的方法无效
| 申请号： | 200910196725.1 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102034681A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 曾明;李健;卜维亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种修复晶圆表面划伤的方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆表面具有由于划伤而形成的凹陷；在晶圆表面生长填充层，所述填充层将晶圆表面全覆盖，并且填满晶圆表面的凹陷；研磨晶圆表面至目标厚度。本发明的优点在于，通过生长填充层将晶圆表面的划伤填满，再实施补充抛光工艺，从而无需研磨到凹陷的底部就能够获得平整的表面，因此尤其适用于修复晶圆表面的深度划伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 表面 划伤 方法 | ||
【主权项】：
一种修复晶圆表面划伤的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆表面具有由于划伤而形成的凹陷；在晶圆表面生长填充层，所述填充层将晶圆表面覆盖，并且填满晶圆表面的凹陷；研磨晶圆表面至目标厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910196725.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
