[发明专利]等离子体引入损伤测试装置及制作测试装置的方法

摘要

本发明提供了一种等离子体导入损害PID测试装置，包括：于晶圆的第一半导体器件上制作出的第一金属互连层；于晶圆的第二半导体器件上、与第一金属互连层同时制作出的探针板互连层；在第一金属互连层中，每层金属层还同时制作有用以收集等离子电荷的天线，且每层金属层通过层间的介质层开设的通孔连接成第一通路；该装置还包括第二金属互连层，第二金属互连层的顶层金属层与第一金属互连层的顶层金属层导通、底层金属层与探针板互连层的底层探针板导通、且每层金属层通过层间的介质层开设的通孔连接成第三通路。本发明还提供了一种制作测试装置的方法。采用本发明提供的装置及方法，能够阻止探针板收集的等离子电荷对半导体器件的损害。

主权项

一种等离子体导入损害PID测试装置，包括：于晶圆的第一半导体器件上制作出的第一金属互连层；于晶圆的用以导出等离子电荷的第二半导体器件上、与所述第一金属互连层同时制作出的探针板互连层；在所述第一金属互连层中，每层金属层还同时制作有用以收集等离子电荷的天线，且每层金属层通过层间的介质层开设的通孔连接成第一通路；在所述探针板互连层中，每层探针板通过层间的介质层开设的通孔连接成第二通路；其特征在于，还包括与所述第一金属互连层同时制作出的第二金属互连层；所述第二金属互连层的顶层金属层与所述第一金属互连层的顶层金属层导通、底层金属层与所述探针板互连层的底层探针板导通、且每层金属层通过层间的介质层开设的通孔连接成第三通路，用以阻止探针板互连层收集的等离子电荷传导至第一通路。