[发明专利]一种ESD保护装置

摘要

本发明公开了一种ESD保护装置，包括：晶闸管，所述晶闸管包括寄生PNP管和寄生NPN管，寄生PNP管的发射极连接到阳极接线柱，其基极通过N阱寄生电阻连接到阳极接线柱，寄生NPN管的发射极连接到阴极接线柱，其基极通过P阱寄生电阻连接到阴极接线柱，晶闸管还包括位于所述P阱的P+阱接触，P+阱接触连接寄生NPN管的基极；耗尽型MOS管，所述MOS管的栅极加偏压，MOS管的漏极通过与漏极相连的阱电阻连接到阳极接线柱，MOS管的源极连接所述P+阱接触。本发明的ESD保护装置触发电压低，能够快速泄放ESD电流、消除ESD的过高电压，有效保护内部电路。

主权项

一种ESD保护装置，其特征在于，所述装置位于P衬底上，包括：晶闸管，所述晶闸管包括寄生PNP管和寄生NPN管；所述寄生PNP管的发射极连接到阳极接线柱，其基极通过第一N阱的寄生电阻连接到阳极接线柱；所述寄生NPN管的发射极连接到阴极接线柱，其基极通过P阱寄生电阻连接到阴极接线柱；所述晶闸管还包括位于所述P阱的P+阱接触，所述P+阱接触连接所述寄生NPN管的基极；耗尽型NMOS管，所述NMOS管的栅极加负偏压；所述NMOS管的漏极通过第二N阱的寄生电阻连接到所述阳极接线柱；所述NMOS管的源极连接所述P+阱接触，以使ESD电流经过第二N阱的寄生电阻和所述NMOS管后流入所述寄生NPN管的基极，通过P阱寄生电阻，提高所述寄生NPN管基极和发射极的压降，促进所述寄生NPN管导通；寄生NPN管导通后，其集电极电流使得寄生PNP管的发射极和基极发生正偏，促使寄生PNP管导通，最终使得整个晶闸管导通放电。