[发明专利]一种静电放电保护电路

摘要

一种静电放电保护电路，所述电路包括：在PMOS管周围设置N-well接触，在NMOS管周围设置P-well接触，在N-well接触和P-well接触之间依次插入一条P+和一条N+。N-well接触、一条P+、一条N+和P-well接触形成SCR管。SCR单位尺寸的ESD保护能力比MOS管好，该电路的NMOS管的漏极-栅极交界处的栅二极管的反向击穿电压比较低，所以漏极有ESD脉冲时，能够在较低电压下就反向击穿产生漏电流，使得SCR的T2的基极-发射极正偏，T2导通，最终整个SCR结构导通。本发明ESD保护电路的触发电压低，一旦SCR能够被触发导通，其保护能力比单纯的MOS管的保护能力要强很多。

主权项

一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：在PMOS管周围设置N‑well接触，在NMOS管周围设置P‑well接触，在所述N‑well接触和所述P‑well接触之间依次插入一条P+和一条N+，所述N‑well接触、一条P+、一条N+和P‑well接触形成SCR管。