[发明专利]一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明属微电子领域，涉及一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法。该晶体管可以用来作为集成电路的基本单元。本发明提供的晶体管具有混合源漏，源极是由常规的pn结构成，漏极为肖特基结。同时，源极和漏极可以互换，即源极为肖特基结，而漏极是常规的pn结。当源漏互换时，器件所表现出来的电性行为不同。同常规的pn结相比，本发明具有低的寄生电阻和良好的按比例缩小的特性。本发明能缓解若干与纯粹肖特基源漏晶体管有关的潜在问题。而且，本发明混合源漏晶体管源漏结构适合不同电路模块中晶体管的要求，该源漏结构的易互换性能增加电路设计的灵活性。

主权项

一种混合源漏场效应晶体管的制备方法，其特征在于，其包含：a)在掺杂的半导体衬底上形成浅槽隔离；b)在半导体衬底上形成叠层栅结构，其中包括栅极的绝缘层和至少拥有一个导电层的栅电极；c)叠层栅结构的图形化以及刻蚀，在相邻两个浅槽隔离之间形成多栅齿形状；d)淀积一牺牲层，该层至少在一处相邻两个栅齿之间在水平方向上合并，并同时至少在位于一个栅齿一侧的半导体衬底表面在水平方向上不合并；e)对该牺牲层进行各向异性刻蚀，该刻蚀对半导体衬底具有选择性，以致在合并的牺牲层下面的半导体衬底表面仍旧受到剩余牺牲层的保护，而上面没有合并牺牲层的半导体衬底表面被暴露；f)在暴露的半导体衬底表面形成pn结源漏区；g)进一步去处剩余的牺牲层直到合并牺牲层下的半导体衬底表面也被暴露；h)淀积一绝缘物质，然后各向异性刻蚀绝缘材料，以致于沿着栅极的形成侧墙隔离层；i)刻蚀之后，之前被合并牺牲层覆盖的半导体衬底表面暴露出来，然后在其上形成肖特基结源漏区。