[发明专利]一种金属硅的提纯方法无效
| 申请号： | 200910197020.1 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102040221A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张忠卫;张泰生 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 郑丹力 |
| 地址： | 201108 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅材料冶炼领域，公开了一种金属硅的提纯方法，包括步骤：一：粉碎，二：酸洗、清洗，三：等离子体火焰处理，四：冷却。在等离子提纯的过程中杂质会向硅颗粒表面扩散，通过进一步的酸洗、等离子提纯，就可以将工业硅的纯度不断提高直到达到太阳能级的要求。本发明取得了简化设备和工艺、降低能耗和生产成本的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅的提纯方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一：粉碎，将工业硅粉碎到300目；步骤二：酸洗、清洗，用氢氟酸、硝酸、去离子水配成的溶液对硅粉进行浸泡，然后用去离子水清洗；步骤三：等离子体火焰处理，将硅粉通过感应等离子体进行火焰处理；步骤四：冷却，将硅粉急速冷却；重复上述步骤二到三，直到硅粉达到太阳能级所要求的纯度。
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