[发明专利]应力作用的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910197078.6 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044561A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王祯贞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应力作用的半导体器件及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供半导体器件；在半导体器件的表面形成第一应变层；在所述第一应变层的表面形成第二应变层......在第n应变层的表面形成第n+1应变层；所述各应变层的应力类型相同。与现有技术的单层应变层相比，本发明通过将多层应变层复合，形成于半导体器件上，使得应变层能够紧附于器件表面，避免在折角处以及应变层底部与器件表面之间产生裂缝或者空隙等缺陷，同时各层应变层共同作用，不降低整体诱发应力的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 作用 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种应力作用的半导体器件，其特征在于：包括半导体器件以及形成于器件表面的复合应变层，所述复合应变层包括至少两层应变层，各应变层的应力类型相同。
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