[发明专利]一种绒面掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910197099.8 申请日: 2009-10-13
公开(公告)号: CN101692357A 公开(公告)日: 2010-04-07
发明(设计)人: 黄素梅;朱红兵;孙卓 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14;H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/0232
代理公司: 上海蓝迪专利事务所 31215 代理人: 徐筱梅
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种绒面掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法,本发明包括掺铝氧化锌(ZnO:Al)透明导电薄膜的磁控溅射生长、掩膜层纳米薄膜的制备和对所沉积的透明导电薄膜的后期湿法化学刻蚀处理形成绒面结构。ZnO:Al透明导电薄膜采用非反应磁控溅射沉积制备,磁控溅射所用靶材为不同掺杂浓度的ZnO:Al2O3陶瓷靶材;通过为ZnO:Al透明导电薄膜设计掩膜层,利用湿法化学刻蚀制备出倒金字塔状绒面ZnO:Al透明导电薄膜。本发明简化了工艺、降低了成本,所制备出的导电薄膜具有很好的陷光效果,可广泛应用于各种高效光电器件、平板显示器以及各种类型的薄膜太阳能电池,提升器件的效能,特别是可用于硅薄膜太阳能电池的制备,可以提高太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 掺杂 氧化锌 透明 导电 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种绒面掺铝氧化锌透明导电薄膜的制备方法,其特征在于该方法是在透明衬底上采用磁控非反应溅射沉积ZnO:Al透明导电薄膜后再制备掩膜层纳米薄膜,利用掩模层纳米薄膜对所沉积的ZnO:Al透明导电薄膜进行后期湿法化学刻蚀处理形成绒面结构。
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