[发明专利]防止钨插塞腐蚀的方法无效
| 申请号： | 200910197374.6 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102044481A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王心 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种防止钨插塞腐蚀的方法，包括：提供形成有钨插塞的半导体衬底，所述的钨插塞与形成在钨插塞上但并未完全覆盖钨插塞的金属导线互连，采用弧光或紫外光照射所述金属导线，至消除所述金属导线上的正电荷。采用所述的防止钨插塞腐蚀的方法，由于采用弧光或者紫外光照射的方法，去除了金属导线上的正电荷，因此，在随后的清洗工艺中，避免了金属导线和钨插塞上的电势差，避免了电化学反应的发生，避免了钨插塞被腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 钨插塞 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种防止钨插塞腐蚀的方法，包括：提供形成有钨插塞的半导体衬底，所述的钨插塞与形成在钨插塞上但并未完全覆盖钨插塞的金属导线互连，采用弧光或紫外光照射所述金属导线，至消除所述金属导线上的正电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
