[发明专利]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 200910197450.3 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102044548A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 朱虹;吴立维;徐锦心;冷江华;辛春艳;杨建平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种CMOS图像感测器件包括：光电二极管，用于将所接收的光信号转化为电信号，至少包括具有不同掺杂类型的两个掺杂区；转移电荷单元，用于与所述光电二极管耦接；浮动扩散区，用于通过所述转移电荷单元与所述光电二极管相连接；重置晶体管和源极跟随器晶体管，分别连接至所述浮动扩散区。本发明避免了光电二极管与浮动扩散区的直接接触，减少了对硅衬底的损伤，减少了暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括：光电二极管，用于将所接收的光信号转化为电信号；转移电荷单元，用于与所述光电二极管耦接；浮动扩散区，用于通过所述转移电荷单元与所述光电二极管相连接；重置晶体管和源极跟随器晶体管，分别连接至所述浮动扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
