[发明专利]一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构有效
| 申请号： | 200910197499.9 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101694779A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 丁晟;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C5/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构。所述存储器采用二极管作为选通器件，进行读写操作时，针对要操作的存储单元，给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低；针对不要进行读写操作的，并与要操作单元处于同一字线的存储单元，给其位线施加一个高于字线电压的直流电压，以使得因为寄生三极管效应而产生的漏电流为零，从电路上彻底解决因为该漏电流而造成的串扰问题。上述高于字线电压的直流电压通过外围电路产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 方法 实现 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种存储器的选通方法，其特征在于：所述存储器采用二极管作为选通器件，对所述存储器进行读写操作时，针对要操作的存储单元，给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低；针对不操作的存储单元，给其位线施加一个高于字线电压的直流电压，用以使所述不操作的存储单元流过的电流为零，所述不操作的存储单元与所述要操作的存储单元处于同一字线。
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