[发明专利]用于动态调整化学机械抛光速率的方法有效
申请号: | 200910197574.1 | 申请日: | 2009-10-21 |
公开(公告)号: | CN102044408A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 潘继岗;彭澎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于动态调整化学机械抛光速率的方法,包括下列步骤:收集特定历史时间段内的抛光数据,所述数据包括该时间段内多次测量的线下抛光速率,以及该时间段开始时的抛光速率结束时的抛光速率;根据这些历史数据计算每次抛光的抛光厚度调整量,从而将化学机械抛光设备中损耗部件的损耗情况进行评估并及时反馈,从而及时调整化学机械抛光设备的抛光速率,以便使得化学机械抛光设备可以始终以恒定的抛光速率进行工作,从而减小停机维护的频率,提高工作效率。 | ||
搜索关键词: | 用于 动态 调整 化学 机械抛光 速率 方法 | ||
【主权项】:
一种用于动态调整化学机械抛光速率的方法,包括下列步骤:收集特定历史时间段(T)内的抛光数据,所述数据包括该时间段内多次测量的线下抛光速率,以及该时间段开始时的抛光速率(RR_pre)结束时的抛光速率(RR_post);根据所述多次测量的线下抛光速率计算算术平均值,得到平均参考抛光速率(RR_Blanket);根据所述时间段开始时的抛光速率和结束时的抛光速率,按下列公式得出该时间段的平均抛光率(RR_ave):RR_ave=(RR_pre‑RR_post)/T对于待抛光的第M个产品的第N层,其中M和N为大于1的正整数,利用平均抛光率和平均参考抛光速率根据下列公式进行计算,得出一系数(Coefficient_N):Coefficient_N=RR_ave/RR_Blanket计算所述第N层的厚度补偿量(Offset_N):Offset_N=化学机械抛光之后的理想厚度‑化学机械抛光之后的实际厚度建立归一化的反馈参数,将第N层的反馈调整量Feedback_N定义为:Feedback_N=Offset_N/Coefficient_N对于第N层定义初始的抛光厚度Initial_N:Initial_N=(化学机械抛光之前实际厚度‑化学机械抛光之后的理想厚度)/Coefficient_N计算反馈的抛光厚度调整量(Feedback(1)_N):Feedback(1)_N=(化学机械抛光之前实际厚度‑化学机械抛光之后的理想厚度)/Coefficient_N+Feedback_N。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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